|
Demonstration of Schottky barrier diode integrated in 200 V power p-GaN HEMTs technology with robust stability |
|
|
|
Titel: |
Demonstration of Schottky barrier diode integrated in 200 V power p-GaN HEMTs technology with robust stability |
Auteur: |
Gallardo, Jethro Oroceo Dash, Sachidananda Tran, Thanh Nga Huang, Zhen-Hong Tang, Shun-Wei Wellekens, Dirk Bakeroot, Benoit Syshchyk, Olga De Jaeger, Brice Decoutere, Stefaan Wu, Tian-Li |
Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
Paginering: |
Jaargang 134 () nr. C pagina's p. |
Jaar: |
2022 |
Inhoud: |
|
Uitgever: |
Elsevier Ltd |
Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
|
|
|
|