|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 658 van 2989 gevonden artikelen
| Titel: |
Cryogenic-temperature investigation of negative bias stress inducing threshold voltage instabilities on 4H-SiC MOSFETs |
| Auteur: |
Masin, F. De Santi, C. Lettens, J. Geenen, F. Meneghesso, G. Zanoni, E. Moens, P. Meneghini, M. |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 138 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2022 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 658 van 2989 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |