|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 632 van 2989 gevonden artikelen
| Titel: |
Corrigendum to “A subgap density of states modeling for the transient characteristics in oxide-based thin-film transistors” [Microelectron. Reliab. 60 (2016) 67–69] |
| Auteur: |
Wang, Weiliang Khan, Karim Zhang, Xingye Qin, Haiming Jiang, Jun Miao, Lijing Jiang, Kemin Wang, Pengjun Dai, Mingzhi Chu, Junhao |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 67 (2016) nr. C pagina's 159 |
| Jaar: |
2016 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 632 van 2989 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |