|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 159 van 2989 gevonden artikelen
| Titel: |
Analysis of deep level defects in bipolar junction transistors irradiated by 2MeV electrons |
| Auteur: |
Ma, Yao Xu, Pengfei Guan, Mingyue Boi, Filippo Bo, Gao Gong, Min Wu, Xue Wang, Yuxin Wang, Hua Niao, ZengQiang |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 79 (2017) nr. C pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2017 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 159 van 2989 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |