|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 190 van 355 gevonden artikelen
| Titel: |
Mechanism analysis of gate-induced drain leakage in off-state n-MOSFET |
| Auteur: |
Huang, L. Lai, P.T. Xu, J.P. Cheng, Y.C. |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 38 (1998) nr. 9 pagina's 7 p. |
| Jaar: |
1998 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 190 van 355 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |