|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 153 van 355 gevonden artikelen
| Titel: |
Highly flat GexSi1−x/Si heterointerfaces grown by molecular beam epitaxy in two-dimensional growth mode |
| Auteur: | |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 33 (1993) nr. 9 pagina's 2 p. |
| Jaar: |
1993 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 153 van 355 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |