|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 531 van 1093 gevonden artikelen
| Titel: |
Hot-carrier-induced degradation of drain current hysteresis and transients in thin gate oxide floating body partially depleted SOI nMOSFETs |
| Auteur: |
Rafí, J.M. Simoen, E. Hayama, K. Mercha, A. Campabadal, F. Ohyama, H. Claeys, C. |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 46 (2006) nr. 9-11 pagina's 7 p. |
| Jaar: |
2006 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 531 van 1093 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |