|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 301 van 1093 gevonden artikelen
| Titel: |
Device reliability study of AlGaN/GaN high electron mobility transistors under high gate and channel electric fields via low frequency noise spectroscopy |
| Auteur: |
Rao, Hemant Bosman, Gijs |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 50 (2010) nr. 9-11 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2010 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 301 van 1093 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |