|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 248 van 1093 gevonden artikelen
| Titel: |
Correlation of failure mechanism of constant-current-stress and constant-voltage-stress breakdowns in ultrathin gate oxides of nMOSFETs by TEM |
| Auteur: |
Pey, K.L Tung, C.H. Radhakrishnan, M.K. Tang, L.J. Sun, Y. Wang, X.D. Lin, W.H. |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 43 (2003) nr. 9-11 pagina's 6 p. |
| Jaar: |
2003 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 248 van 1093 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |