|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 226 van 1093 gevonden artikelen
| Titel: |
Comparison of the performances of an InAlN/GaN HEMT with a Mo/Au gate or a Ni/Pt/Au gate |
| Auteur: |
Rossetto, I. Rampazzo, F. Silvestri, R. Zanandrea, A. Dua, C. Delage, S. Oualli, M. Meneghini, M. Zanoni, E. Meneghesso, G. |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 53 (2013) nr. 9-11 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2013 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 226 van 1093 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |