Details van artikel 178 van 1093 gevonden artikelen
Characterisation and modelling of parasitic effects and failure mechanisms in AlGaN/GaN HEMTs
Titel:
Characterisation and modelling of parasitic effects and failure mechanisms in AlGaN/GaN HEMTs
Auteur:
Malbert, N. Labat, N. Curutchet, A. Sury, C. Hoel, V. de Jaeger, J.-C. Defrance, N. Douvry, Y. Dua, C. Oualli, M. Bru-Chevallier, C. Bluet, J.-M. Chikhaoui, W.
Verschenen in:
Microelectronics reliability
Paginering:
Jaargang 49 (2009) nr. 9-11 pagina's 6 p.
Jaar:
2009
Inhoud:
Uitgever:
Elsevier Ltd
Bronbestand:
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften
Details van artikel 178 van 1093 gevonden artikelen