Details van artikel 202 van 551 gevonden artikelen
Evidence of chlorine ion penetration in InP/InAsP quantum well structures during dry etching processes and effects of induced-defects on the electronic and structural behaviour
Titel:
Evidence of chlorine ion penetration in InP/InAsP quantum well structures during dry etching processes and effects of induced-defects on the electronic and structural behaviour
Auteur:
Landesman, J.P. Levallois, C. Jiménez, J. Pommereau, F. Léger, Y. Beck, A. Delhaye, T. Torres, A. Frigeri, C. Rhallabi, A.
Verschenen in:
Microelectronics reliability
Paginering:
Jaargang 55 (2015) nr. 9-10 pagina's 4 p.
Jaar:
2015
Inhoud:
Uitgever:
Elsevier Ltd
Bronbestand:
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften
Details van artikel 202 van 551 gevonden artikelen