Details van artikel 167 van 551 gevonden artikelen
Effects of buffer compensation strategies on the electrical performance and RF reliability of AlGaN/GaN HEMTs
Titel:
Effects of buffer compensation strategies on the electrical performance and RF reliability of AlGaN/GaN HEMTs
Auteur:
Bisi, D. Stocco, A. Rossetto, I. Meneghini, M. Rampazzo, F. Chini, A. Soci, F. Pantellini, A. Lanzieri, C. Gamarra, P. Lacam, C. Tordjman, M. di Forte-Poisson, M.-A. De Salvador, D. Bazzan, M. Meneghesso, G. Zanoni, E.
Verschenen in:
Microelectronics reliability
Paginering:
Jaargang 55 (2015) nr. 9-10 pagina's 5 p.
Jaar:
2015
Inhoud:
Uitgever:
Elsevier Ltd
Bronbestand:
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften
Details van artikel 167 van 551 gevonden artikelen