|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 102 van 551 gevonden artikelen
| Titel: |
Comparison of Si <100> and <110> crystal orientation nanowire transistor reliability using Poisson–Schrödinger and classical simulations |
| Auteur: |
Gerrer, L. Georgiev, V. Amoroso, S.M. Towie, E. Asenov, A. |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 55 (2015) nr. 9-10 pagina's 6 p. |
| Jaar: |
2015 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 102 van 551 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |