|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 303 van 572 gevonden artikelen
| Titel: |
Improving the electrical characteristics of MOS transistors with CeO2/La2O3 stacked gate dielectric |
| Auteur: |
Yang, B.L. Wong, H. Kakushima, K. Iwai, H. |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 52 (2012) nr. 8 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2012 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 303 van 572 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |