|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 213 van 572 gevonden artikelen
| Titel: |
Electrical characteristics of advanced lateral insulated-gate bipolar transistor structures at 77 K |
| Auteur: |
Vellvehi, M. Jordà, X. Flores, D. Godignon, P. Rebollo, J. Millán, J. |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 39 (1999) nr. 8 pagina's 8 p. |
| Jaar: |
1999 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 213 van 572 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |