|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 127 van 572 gevonden artikelen
| Titel: |
Charge-based model for symmetric double-gate MOSFETs with inclusion of channel doping effect |
| Auteur: |
Zhang, Lining Zhang, Jian Song, Yan Lin, Xinnan He, Jin Chan, Mansun |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 50 (2010) nr. 8 pagina's 9 p. |
| Jaar: |
2010 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 127 van 572 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |