|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 9 van 103 gevonden artikelen
| Titel: |
Behaviour of 1.2kV SiC JBS diodes under repetitive high power stress |
| Auteur: |
Banu, V. Brosselard, P. Jordá, X. Montserrat, J. Godignon, P. Millán, J. |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 48 (2008) nr. 8-9 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2008 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 9 van 103 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |