|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 32 van 103 gevonden artikelen
| Titel: |
Experimental evidence of “latent gate oxide damages” in medium voltage power MOSFET as a result of heavy ions exposure |
| Auteur: |
Busatto, G. Currò, G. Iannuzzo, F. Porzio, A. Sanseverino, A. Velardi, F. |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 48 (2008) nr. 8-9 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2008 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 32 van 103 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |