|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 15 van 87 gevonden artikelen
| Titel: |
Back side optical beam induced current method for the localization of electric field enhancements in edge termination structures of power semiconductor devices |
| Auteur: |
Soelkner, Gerald Kreutle, Johannes Quincke, Jörg Kaindl, Winfried Wachutka, Gerhard |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 40 (2000) nr. 8-10 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2000 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 15 van 87 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |