|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 41 van 425 gevonden artikelen
| Titel: |
A thorough investigation of hot-carrier-induced gate oxide breakdown in partially depleted N- and P-channel SIMOX MOSFETs |
| Auteur: |
Liu, Hongxia Hao, Yue Zhu, Jiangang |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 42 (2002) nr. 7 pagina's 8 p. |
| Jaar: |
2002 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 41 van 425 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |