|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 395 van 425 gevonden artikelen
| Titel: |
The influence of p-polysilicon gate doping on the dielectric breakdown of PMOS devices |
| Auteur: |
Innertsberger, G Pompl, T Kerber, M |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 41 (2001) nr. 7 pagina's 3 p. |
| Jaar: |
2001 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 395 van 425 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |