|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 192 van 425 gevonden artikelen
| Titel: |
Influence of ISSG tunnel oxide with decoupled plasma nitridation on erase characteristic of NOR-type floating-gate flash memories |
| Auteur: |
Xu, Yue Huang, Yang |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 55 (2015) nr. 7 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2015 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 192 van 425 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |