|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 184 van 425 gevonden artikelen
| Titel: |
Improved electrical characteristics and reliability of amorphous InGaZnO metal–insulator–semiconductor capacitor with high κ HfO x N y gate dielectric |
| Auteur: |
Zou, Xiao Fang, Guojia Yuan, Longyan Tong, Xingsheng Zhao, Xingzhong |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 50 (2010) nr. 7 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2010 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 184 van 425 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |