|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 180 van 425 gevonden artikelen
| Titel: |
Impact of device geometry and doping strategy on linearity and RF performance in Si/SiGe MODFETs |
| Auteur: |
Yang, L Asenov, A Watling, J.R Boriçi, M Barker, J.R Roy, S Elgaid, K Thayne, I Hackbarth, T |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 44 (2004) nr. 7 pagina's 7 p. |
| Jaar: |
2004 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 180 van 425 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |