|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 161 van 425 gevonden artikelen
| Titel: |
Gate leakage current in GaN-based mesa- and planar-type heterostructure field-effect transistors |
| Auteur: |
Kováč, J. Šatka, A. Chvála, A. Donoval, D. Kordoš, P. Delage, S. |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 52 (2012) nr. 7 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2012 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 161 van 425 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |