|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 71 van 3078 gevonden artikelen
| Titel: |
Advantage of further scaling in gate dielectrics below 0.5nm of equivalent oxide thickness with La2O3 gate dielectrics |
| Auteur: |
Kakushima, K. Tachi, K. Ahmet, P. Tsutsui, K. Sugii, N. Hattori, T. Iwai, H. |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 50 (2010) nr. 6 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2010 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 71 van 3078 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |