|
Anomalous narrow width effect in p-channel metal–oxide–semiconductor surface channel transistors using shallow trench isolation technology |
|
|
|
Titel: |
Anomalous narrow width effect in p-channel metal–oxide–semiconductor surface channel transistors using shallow trench isolation technology |
Auteur: |
Lau, W.S. See, K.S. Eng, C.W. Aw, W.K. Jo, K.H. Tee, K.C. Lee, James Y.M. Quek, Elgin K.B. Kim, H.S. Chan, Simon T.H. Chan, L. |
Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
Paginering: |
Jaargang 48 (2008) nr. 6 pagina's 4 p. |
Jaar: |
2008 |
Inhoud: |
|
Uitgever: |
Elsevier Ltd |
Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
|
|
|
|