|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 30 van 127 gevonden artikelen
| Titel: |
Device characteristics of AlGaN/GaN MIS–HEMTs with high-k Hf x Zr1 − x O2 (x =0.66,0.47,0.15) insulator layer |
| Auteur: |
Chiu, Hsien-Chin Wu, Chia-Hsuan Chi, Ji-Fan Chien, Feng-Tso |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 54 (2014) nr. 6-7 pagina's 6 p. |
| Jaar: |
2014 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 30 van 127 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |