|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 985 van 3051 gevonden artikelen
| Titel: |
Electrical and reliability characteristics of GaAs MOSHEMTs utilizing high-k IIIB and IVB oxide layers |
| Auteur: |
Chiu, Hsien-Chin Chen, Chao-Hung Yang, Chih-Wei Fu, Jeffrey S. Wang, Cheng-Shun |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 50 (2010) nr. 5 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2010 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 985 van 3051 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |