|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 281 van 3051 gevonden artikelen
| Titel: |
An investigation of drain pulse induced hot carrier degradation in n-type low temperature polycrystalline silicon thin film transistors |
| Auteur: |
Zhang, Meng Wang, Mingxiang |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 50 (2010) nr. 5 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2010 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 281 van 3051 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |