Details van artikel 175 van 190 gevonden artikelen
The relentless march of the MOSFET gate oxide thickness to zero
Titel:
The relentless march of the MOSFET gate oxide thickness to zero
Auteur:
Timp, G Bude, J Baumann, F Bourdelle, K.K Boone, T Garno, J Ghetti, A Green, M Gossmann, H Kim, Y Kleiman, R Kornblit, A Klemens, F Moccio, S Muller, D Rosamilia, J Silverman, P Sorsch, T Timp, W Tennant, D Tung, R Weir, B
Verschenen in:
Microelectronics reliability
Paginering:
Jaargang 40 (2000) nr. 4-5 pagina's 6 p.
Jaar:
2000
Inhoud:
Uitgever:
Elsevier Science Ltd
Bronbestand:
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften
Details van artikel 175 van 190 gevonden artikelen