Details van artikel 128 van 190 gevonden artikelen
Optimization of HfSiON using a design of experiment (DOE) approach on 0.45V V t Ni-FUSI CMOS transistors
Titel:
Optimization of HfSiON using a design of experiment (DOE) approach on 0.45V V t Ni-FUSI CMOS transistors
Auteur:
Rothschild, A. Mitsuhashi, R. Kerner, C. Shi, X. Everaert, J.L. Date, L. Conard, T. Richard, O. Vrancken, C. Verbeeck, R. Veloso, A. Lauwers, A. De Potter, M. Debusschere, I. Jurczak, M. Niwa, M. Absil, P. Biesemans, S.
Verschenen in:
Microelectronics reliability
Paginering:
Jaargang 47 (2007) nr. 4-5 pagina's 4 p.
Jaar:
2007
Inhoud:
Uitgever:
Elsevier Ltd
Bronbestand:
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften
Details van artikel 128 van 190 gevonden artikelen