Details van artikel 110 van 190 gevonden artikelen
Mechanism of O2-anneal induced V fb shifts of Ru gated stacks
Titel:
Mechanism of O2-anneal induced V fb shifts of Ru gated stacks
Auteur:
Li, Z. Schram, T. Pantisano, L. Stesmans, A. Conard, T. Shamuilia, S. Afanasiev, V.V. Akheyar, A. Van Elshocht, S. Brunco, D.P. Deweerd, W. Naoki, Y. Lehnen, P. De Gendt, S. De Meyer, K.
Verschenen in:
Microelectronics reliability
Paginering:
Jaargang 47 (2007) nr. 4-5 pagina's 3 p.
Jaar:
2007
Inhoud:
Uitgever:
Elsevier Ltd
Bronbestand:
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften
Details van artikel 110 van 190 gevonden artikelen