Digitale Bibliotheek
Sluiten Bladeren door artikelen uit een tijdschrift
 
<< vorige    volgende >>
     Tijdschrift beschrijving
       Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
         Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
           Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
                                       Details van artikel 892 van 2875 gevonden artikelen
 
 
  Electrical characterization of ultra-shallow n+p junctions formed by AsH3 plasma immersion implantation
 
 
Titel: Electrical characterization of ultra-shallow n+p junctions formed by AsH3 plasma immersion implantation
Auteur: Yang, B.L
Wong, H
Han, P.G
Poon, M.C
Verschenen in: Microelectronics reliability
Paginering: Jaargang 40 (2000) nr. 2 pagina's 5 p.
Jaar: 2000
Inhoud:
Uitgever: Elsevier Science Ltd
Bronbestand: Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften
 
 

                             Details van artikel 892 van 2875 gevonden artikelen
 
<< vorige    volgende >>
 
 Koninklijke Bibliotheek - Nationale Bibliotheek van Nederland