|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 52 van 120 gevonden artikelen
| Titel: |
Dépôts de nitrure de silicium et de silice par méthode photochimique. Passivation de la surface d'InP par (NH4)2 S x . Application au MISFET-InP |
| Auteur: | |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 33 (1993) nr. 13 pagina's 2 p. |
| Jaar: |
1993 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 52 van 120 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |