|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 53 van 827 gevonden artikelen
| Titel: |
Analytical threshold voltage model for cylindrical surrounding-gate MOSFET with electrically induced source/drain extensions |
| Auteur: |
Li, Cong Zhuang, Yiqi Han, Ru Jin, Gang Bao, Junlin |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 51 (2011) nr. 12 pagina's 6 p. |
| Jaar: |
2011 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 53 van 827 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |