Digitale Bibliotheek
Sluiten Bladeren door artikelen uit een tijdschrift
 
<< vorige    volgende >>
     Tijdschrift beschrijving
       Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
         Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
           Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
                                       Details van artikel 406 van 827 gevonden artikelen
 
 
  InP/GaAs0.51Sb0.49/InP fully self-aligned double heterojunction bipolar transistors with a C-doped base: a preliminary reliability study
 
 
Titel: InP/GaAs0.51Sb0.49/InP fully self-aligned double heterojunction bipolar transistors with a C-doped base: a preliminary reliability study
Auteur: Bolognesi, C.R.
Matine, N.
Xu, X.G.
Soerensen, G.
Watkins, S.P.
Verschenen in: Microelectronics reliability
Paginering: Jaargang 39 (1999) nr. 12 pagina's 6 p.
Jaar: 1999
Inhoud:
Uitgever: Elsevier Science Ltd
Bronbestand: Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften
 
 

                             Details van artikel 406 van 827 gevonden artikelen
 
<< vorige    volgende >>
 
 Koninklijke Bibliotheek - Nationale Bibliotheek van Nederland