|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 395 van 827 gevonden artikelen
| Titel: |
Influence of channel layer and passivation layer on the stability of amorphous InGaZnO thin film transistors |
| Auteur: |
Zhan, Runze Dong, Chengyuan Liu, Po-Tsun Shieh, Han-Ping D. |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 53 (2013) nr. 12 pagina's 7 p. |
| Jaar: |
2013 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 395 van 827 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |