|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 385 van 827 gevonden artikelen
| Titel: |
Implications of gate-edge electric field in AlGaN/GaN high electron mobility transistors during OFF-state degradation |
| Auteur: |
Sun, H. Montes Bajo, M. Uren, M.J. Kuball, M. |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 54 (2014) nr. 12 pagina's 6 p. |
| Jaar: |
2014 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 385 van 827 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |