|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 36 van 827 gevonden artikelen
| Titel: |
A mechanism of threshold voltage changes for WN x gate GaAs MESFETs in high temperature storage life tests |
| Auteur: |
Kitaura, Y. Ishida, K. Mizoguchi, T. Uchitomi, N. Matsunaga, T. Mochizuki, M. Nii, R. |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 35 (1995) nr. 12 pagina's 6 p. |
| Jaar: |
1995 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 36 van 827 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |