|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 311 van 827 gevonden artikelen
| Titel: |
Examination of hot carrier effects of the AlGaAs/InGaAs pHEMT through device simulation |
| Auteur: |
Steighner, Jason B. Yuan, Jiann S. |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 52 (2012) nr. 12 pagina's 9 p. |
| Jaar: |
2012 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 311 van 827 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |