|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 212 van 827 gevonden artikelen
| Titel: |
Deep-depletion-layer impact-ionization-induced gate-oxide breakdown in thin-oxide n-MOSFETs |
| Auteur: | |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 34 (1994) nr. 12 pagina's 1 p. |
| Jaar: |
1994 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 212 van 827 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |