Digitale Bibliotheek
Sluiten Bladeren door artikelen uit een tijdschrift
 
<< vorige    volgende >>
     Tijdschrift beschrijving
       Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
         Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
           Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
                                       Details van artikel 34 van 276 gevonden artikelen
 
 
  Bipolar model extension for MOS transistors considering gate coupling effects in the HBM ESD domain
 
 
Titel: Bipolar model extension for MOS transistors considering gate coupling effects in the HBM ESD domain
Auteur: Wolf, Heinrich
Gieser, Horst
Stadler, Wolfgang
Verschenen in: Microelectronics reliability
Paginering: Jaargang 39 (1999) nr. 11 pagina's 9 p.
Jaar: 1999
Inhoud:
Uitgever: Elsevier Science Ltd
Bronbestand: Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften
 
 

                             Details van artikel 34 van 276 gevonden artikelen
 
<< vorige    volgende >>
 
 Koninklijke Bibliotheek - Nationale Bibliotheek van Nederland