|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 268 van 276 gevonden artikelen
| Titel: |
Under-gate defect formation in Ni-gate AlGaN/GaN high electron mobility transistors |
| Auteur: |
Whiting, P.G. Rudawski, N.G. Holzworth, M.R. Pearton, S.J. Jones, K.S. Liu, L. Kang, T.S. Ren, F. |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 52 (2012) nr. 11 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2012 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 268 van 276 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |