|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 256 van 276 gevonden artikelen
| Titel: |
The role of a tensile stress bias for a sensitive silicon mechanical stress sensor based on a change in gate-induced-drain leakage current |
| Auteur: |
Lau, W.S. Yang, Peizhen Siah, S.Y. Chan, L. |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 52 (2012) nr. 11 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2012 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 256 van 276 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |