|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 115 van 276 gevonden artikelen
| Titel: |
Gate leakage current suppression and reliability improvement for ultra-low EOT Ge MOS devices by suitable HfAlO/HfON thickness and sintering temperature |
| Auteur: |
Chi, Wei-Fong Chang-Liao, Kuei-Shu Yi, Shih-Han Li, Chen-Chien Li, Yan-Lin |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 55 (2015) nr. 11 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2015 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 115 van 276 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |