|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 8 van 145 gevonden artikelen
| Titel: |
An explanation of the dependence of the effective saturation velocity on gate voltage in sub-0.1μm metal–oxide–semiconductor transistors by quasi-ballistic transport theory |
| Auteur: |
Lau, W.S. Yang, Peizhen Ho, V. Toh, L.F. Liu, Y. Siah, S.Y. Chan, L. |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 48 (2008) nr. 10 pagina's 8 p. |
| Jaar: |
2008 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 8 van 145 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |