|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 14 van 20 gevonden artikelen
| Titel: |
ON-state characteristics of proton irradiated 4H–SiC Schottky diode: The calibration of model parameters for device simulation |
| Auteur: |
Vobecký, J. Hazdra, P. Záhlava, V. Mihaila, A. Berthou, M. |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 94 (2014) nr. C pagina's 7 p. |
| Jaar: |
2014 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 14 van 20 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |