|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 9 van 34 gevonden artikelen
| Titel: |
Current collapse reduction in InAlGaN/GaN high electron mobility transistors by surface treatment of thermally stable ultrathin in situ SiN passivation |
| Auteur: |
Alexewicz, A. Alomari, M. Maier, D. Behmenburg, H. Giesen, C. Heuken, M. Pogany, D. Kohn, E. Strasser, G. |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 89 (2013) nr. C pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2013 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 9 van 34 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |